SIR401DP-T1-GE3
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SIRA16DP-T1-GE3

Codice DigiKey
SIRA16DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIRA16DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIRA16DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIRA16DP-T1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore
27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 16 A (Ta) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
16 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
6,8mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2060 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro
PowerPAK® SO-8
Codice componente base
SIRA16
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,86000€ 0,86
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
6 000€ 0,19288€ 1 157,28
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,86000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,04920