
SIRA12BDP-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIRA12BDP-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 27 A (Ta), 60 A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIRA12BDP-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,3mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 32 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | +20V, -16V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1470 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 38W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,98000 | € 0,98 |
| 10 | € 0,61100 | € 6,11 |
| 100 | € 0,40120 | € 40,12 |
| 500 | € 0,31082 | € 155,41 |
| 1 000 | € 0,28168 | € 281,68 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,24468 | € 734,04 |
| 6 000 | € 0,22605 | € 1 356,30 |
| 9 000 | € 0,21656 | € 1 949,04 |
| 15 000 | € 0,20590 | € 3 088,50 |
| 21 000 | € 0,20556 | € 4 316,76 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,19560 |




