Name: SIRA02DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA02DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.8792 EUR
Availability: InStock

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SIRA02DP-T1-GE3
Codice DigiKey	SIRA02DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIRA02DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIRA02DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIRA02DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Tempi di consegna standard del produttore	55 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 50 A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIRA02DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 117 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) +20V, -16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6150 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 71,4W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PowerPAK® SO-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Tc)	Contenitore/involucro PowerPAK® SO-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SIRA02
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 15A, 10V