
SIR826BDP-T1-RE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIR826BDP-T1-RE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIR826BDP-T1-RE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIR826BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIR826BDP-T1-RE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 19,8 A (Ta), 80,8 A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,1mohm a 15A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,8V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3030 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 83W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® SO-8 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,90000 | € 1,90 |
| 10 | € 1,21900 | € 12,19 |
| 100 | € 0,82760 | € 82,76 |
| 500 | € 0,66012 | € 330,06 |
| 1 000 | € 0,63430 | € 634,30 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,53793 | € 1 613,79 |
| 6 000 | € 0,51822 | € 3 109,32 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,90000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,31800 |


