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SIJH5800E-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJH5800E-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJH5800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SIJH5800E-T1-GE3 |
Descrizione | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET |
Tempi di consegna standard del produttore | 33 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 8 x 8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIJH5800E-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 7,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,35mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 155 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 7730 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,3W (Ta), 333W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PowerPAK® 8 x 8 | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 2 783
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 6,15000 | € 6,15 |
| 10 | € 4,15400 | € 41,54 |
| 100 | € 3,10410 | € 310,41 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 000 | € 2,53604 | € 5 072,08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,15000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,50300 |
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