Name: SIJ4819DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.1964 EUR
Availability: InStock

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SIJ4819DP-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SIJ4819DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SIJ4819DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SIJ4819DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIJ4819DP-T1-GE3
Descrizione	P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 80 V 11,5A (Ta), 44,4A (Tc) 5W (Ta), 73,5W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIJ4819DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	11,5A (Ta), 44,4A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20,7mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3420 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5W (Ta), 73,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8