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SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD6N65E-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 25 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 600mohm a 3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 820 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 78W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 2 988
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,02000 | € 2,02 |
| 75 | € 0,92173 | € 69,13 |
| 150 | € 0,83067 | € 124,60 |
| 525 | € 0,70107 | € 368,06 |
| 1 050 | € 0,64497 | € 677,22 |
| 2 025 | € 0,60007 | € 1 215,14 |
| 5 025 | € 0,56140 | € 2 821,03 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,46440 |
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