Impostazioni
Consegna rapida
Spedizione gratuita
Incoterms
Modalità di pagamento
Prodotto Marketplace
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SIHD2N80AE-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 2,9 A (Tc) 62,5W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,9ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 180 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 62,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 1 559
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,51000 | € 1,51 |
| 10 | € 0,95700 | € 9,57 |
| 100 | € 0,64210 | € 64,21 |
| 500 | € 0,50700 | € 253,50 |
| 1 000 | € 0,46355 | € 463,55 |
| 3 000 | € 0,40839 | € 1 225,17 |
| 6 000 | € 0,38063 | € 2 283,78 |
| 12 000 | € 0,37677 | € 4 521,24 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,51000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,84220 |
Ti potrebbe anche interessareVedi tutto
6 Articoli
Italia