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TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60ET1-GE3

Codice DigiKey
SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHB33N60ET1-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
99mohm a 16,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3508 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
278W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
SIHB33
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 5,89000€ 5,89
10€ 3,97300€ 39,73
100€ 2,93360€ 293,36
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 2,39676€ 1 917,41
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 5,89000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,18580