Canale N 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Foro passante TO-220 Full Pack
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SIHA6N65E-GE3

Codice DigiKey
742-SIHA6N65E-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-SIHA6N65E-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SIHA6N65E-GE3
Descrizione
N-CHANNEL 650V
Tempi di consegna standard del produttore
25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Foro passante TO-220 Full Pack
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
E
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
600mohm a 3A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1640 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
31W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220 Full Pack
Contenitore/involucro
TO-220-3 Full Pack
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In magazzino: 1 992
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,40000€ 2,40
10€ 1,55100€ 15,51
100€ 1,06740€ 106,74
500€ 0,86040€ 430,20
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,79387€ 793,87
2 000€ 0,73794€ 1 475,88
3 000€ 0,71255€ 2 137,65
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,40000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,92800