Name: SIA527DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA527DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.854 EUR
Availability: InStock

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SIA527DJ-T1-GE3
Codice DigiKey	SIA527DJ-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SIA527DJ-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SIA527DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SIA527DJ-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 12V 4,5A 7,8W A montaggio superficiale PowerPAK® SC-70-6 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SIA527DJ-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	12V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,5A
RDSon (max) a Id, Vgs	29mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15nC a 8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	500pF a 6V
Potenza - Max	7,8W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® SC-70-6 doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SC-70-6 doppio
Codice componente base	SIA527

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)