Name: SI7972DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7324 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI7972DP-T1-GE3
Codice DigiKey	742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI7972DP-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI7972DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI7972DP-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Tempi di consegna standard del produttore	33 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 8 A (Tc) 22W A montaggio superficiale PowerPAK® SO-8 doppio
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI7972DP-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	18mohm a 11A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,7V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1050pF a 30V
Potenza - Max	22W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	PowerPAK® SO-8 doppio
Contenitore del fornitore	PowerPAK® SO-8 doppio
Codice componente base	SI7972