SIS176LDN-T1-GE3
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SI7129DN-T1-GE3

Codice DigiKey
SI7129DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI7129DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI7129DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI7129DN-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52,1W (Tc) A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI7129DN-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
11,4mohm a 14,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3345 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3,8W (Ta), 52,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerPAK® 1212-8
Contenitore/involucro
Codice componente base
Product Questions and Answers

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In magazzino: 7 889
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,30000€ 1,30
10€ 0,82500€ 8,25
100€ 0,54880€ 54,88
500€ 0,43046€ 215,23
1 000€ 0,39237€ 392,37
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,34401€ 1 032,03
6 000€ 0,31966€ 1 917,96
9 000€ 0,30769€ 2 769,21
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,58600