
SI5515CDC-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI5515CDC-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4A 3,1W A montaggio superficiale 1206-8 ChipFET™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI5515CDC-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 36mohm a 6A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 800mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11,3nC a 5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 632pF a 10V | |
Potenza - Max | 3,1W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | 1206-8 ChipFET™ | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,04000 | € 1,04 |
| 10 | € 0,65200 | € 6,52 |
| 100 | € 0,42910 | € 42,91 |
| 500 | € 0,33338 | € 166,69 |
| 1 000 | € 0,30255 | € 302,55 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,26340 | € 790,20 |
| 6 000 | € 0,24369 | € 1 462,14 |
| 9 000 | € 0,23365 | € 2 102,85 |
| 15 000 | € 0,22478 | € 3 371,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,04000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,26880 |









