
SI4948BEY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4948BEY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4948BEY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4948BEY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4948BEY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 2,4A 1,4W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4948BEY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2,4A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 120mohm a 3,1A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 22nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | - | |
Potenza - Max | 1,4W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,61000 | € 1,61 |
| 10 | € 1,02300 | € 10,23 |
| 100 | € 0,68790 | € 68,79 |
| 500 | € 0,54452 | € 272,26 |
| 1 000 | € 0,50216 | € 502,16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,44849 | € 1 121,22 |
| 5 000 | € 0,41766 | € 2 088,30 |
| 7 500 | € 0,41026 | € 3 076,95 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,61000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,96420 |


