
SI4554DY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4554DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4554DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4554DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4554DY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 8A 3,1W, 3,2W A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4554DY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 24mohm a 6,8A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 20nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 690pF a 20V | |
Potenza - Max | 3,1W, 3,2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,01000 | € 1,01 |
| 10 | € 0,63400 | € 6,34 |
| 100 | € 0,41670 | € 41,67 |
| 500 | € 0,32332 | € 161,66 |
| 1 000 | € 0,29323 | € 293,23 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,26064 | € 651,60 |
| 5 000 | € 0,24049 | € 1 202,45 |
| 7 500 | € 0,23023 | € 1 726,72 |
| 12 500 | € 0,21870 | € 2 733,75 |
| 17 500 | € 0,21593 | € 3 778,78 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,01000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,23220 |





