
SI4491EDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4491EDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4491EDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4491EDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4491EDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 49 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 17,3 A (Ta) 3,1W (Ta), 6,9W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,5mohm a 13A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,8V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 153 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4620 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3,1W (Ta), 6,9W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,28000 | € 1,28 |
| 10 | € 0,80700 | € 8,07 |
| 100 | € 0,53660 | € 53,66 |
| 500 | € 0,42068 | € 210,34 |
| 1 000 | € 0,38336 | € 383,36 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,34296 | € 857,40 |
| 5 000 | € 0,31799 | € 1 589,95 |
| 7 500 | € 0,30527 | € 2 289,53 |
| 12 500 | € 0,29970 | € 3 746,25 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,28000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,56160 |



