SI2343DS-T1-GE3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale P 30 V 3,1 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
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SI2343DS-T1-GE3

Codice DigiKey
SI2343DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI2343DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI2343DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI2343DS-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 3,1 A (Ta) 750mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
53mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
540 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
750mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Obsoleto
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