
SI2329DS-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2329DS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 8 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2329DS-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 8 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,2V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 30mohm a 5,3A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 800mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1485 pF @ 4 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,82000 | € 0,82 |
| 10 | € 0,51300 | € 5,13 |
| 100 | € 0,33400 | € 33,40 |
| 500 | € 0,25690 | € 128,45 |
| 1 000 | € 0,23204 | € 232,04 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,20047 | € 601,41 |
| 6 000 | € 0,18456 | € 1 107,36 |
| 9 000 | € 0,17646 | € 1 588,14 |
| 15 000 | € 0,16736 | € 2 510,40 |
| 21 000 | € 0,16197 | € 3 401,37 |
| 30 000 | € 0,16194 | € 4 858,20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,00040 |










