
SI2324DS-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI2324DS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2324DS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2324DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2324DS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 2,3 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 234mohm a 1,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,9V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10.4 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 190 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,79000 | € 0,79 |
| 10 | € 0,48800 | € 4,88 |
| 100 | € 0,31680 | € 31,68 |
| 500 | € 0,24318 | € 121,59 |
| 1 000 | € 0,21946 | € 219,46 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,18929 | € 567,87 |
| 6 000 | € 0,17410 | € 1 044,60 |
| 9 000 | € 0,16636 | € 1 497,24 |
| 15 000 | € 0,15767 | € 2 365,05 |
| 21 000 | € 0,15252 | € 3 202,92 |
| 30 000 | € 0,15115 | € 4 534,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,96380 |











