Name: SI2302DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2302DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.6832 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SI2302DDS-T1-BE3
Codice DigiKey	742-SI2302DDS-T1-BE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 742-SI2302DDS-T1-BE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 742-SI2302DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2302DDS-T1-BE3
Descrizione	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 2,6 A (Ta) 710mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 57mohm a 3,6A, 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 850mV a 250µA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Stato componente Attivo	Vgs (max) ±8V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 710mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,6 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 3 621

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)