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SI2301BDS-T1-E3 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SI2301BDS-T1-E3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI2301BDS-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2301BDS-T1-E3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2301BDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2301BDS-T1-E3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 2,2 A (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2301BDS-T1-E3 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 2,5V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 100mohm a 2,8A, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 950mV a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 375 pF @ 6 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | SOT-23-3 (TO-236) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
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