Name: SI1902CDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1902CDL-T1-GE3TR-ND
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

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SI1902CDL-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1902CDL-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1902CDL-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1902CDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1902CDL-T1-GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 1,1A 420mW A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1902CDL-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,1A
RDSon (max) a Id, Vgs	235mohm a 1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	62pF a 10V
Potenza - Max	420mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SC-70-6
Codice componente base	SI1902

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Nastrato in bobina (TR)