Name: SI1077X-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1077X-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6466 EUR
Availability: InStock

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SI1077X-T1-GE3
Codice DigiKey	SI1077X-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI1077X-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI1077X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI1077X-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 20V SC89-6
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 1,75A (Ta) 330mW (Ta) A montaggio superficiale SC-89 (SOT-563F)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI1077X-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,75A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	78mohm a 1,8A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	31.1 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	965 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-89 (SOT-563F)
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Codice componente base	SI1077

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Nastrato in bobina (TR)