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MXP120A250FW-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 742-MXP120A250FW-GE3-ND |
Produttore | |
Codice produttore | MXP120A250FW-GE3 |
Descrizione | SILICON CARBIDE MOSFET |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 10,5 A (Tc) 56W (Tc) Foro passante TO-247-3L |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 313mohm a 4A, 20V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 3,1V a 10mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 20.3 nC @ 18 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) +22V, -10V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 447 pF @ 800 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247-3L |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V, 20V | Contenitore/involucro |
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