Novità in DigiKey
MXP120A045FE-T1GE3
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MXP120A045FE-T1GE3

Codice DigiKey
742-MXP120A045FE-T1GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
742-MXP120A045FE-T1GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
742-MXP120A045FE-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
MXP120A045FE-T1GE3
Descrizione
SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 49 A (Tc) 212W (Tc)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
MaxSiC™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
49 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V, 20V
RDSon (max) a Id, Vgs
56mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id
2,38V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
75.6 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1958 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
212W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
-
Contenitore del fornitore
-
Contenitore/involucro
-
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 11,14750€ 8 918,00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 11,14750
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 13,59995