Canale N 75 V 75 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 75 V 75 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRF2807ZSTRR

Codice DigiKey
IRF2807ZSTRR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
IRF2807ZSTRR
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 75 V 75 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
75 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
75 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
9,4mohm a 53A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3270 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
170W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IRF2807
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Fuori produzione
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 0,98394€ 787,15
1 600€ 0,91537€ 1 464,59
2 400€ 0,89069€ 2 137,66
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,98394
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,20041