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SMBJ58AHE3_A/I è obsoleto e non è più in produzione.
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 0,15261
Scheda tecnica
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SMBJ58AHE3_A/I | |
|---|---|
Codice DigiKey | SMBJ58AHE3_A/I-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | SMBJ58AHE3_A/I |
Descrizione | TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | 93,6V Fascetta 6,4 A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-214AA (SMBJ) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 6,4 A |
Produttore | Potenza - Impulso di picco 600W |
Serie | Protezione linea di alimentazione No |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Obsoleto | Grado Automobilistico |
Tipo Zener | Qualifica AEC-Q101 |
Canali unidirezionali 1 | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 58V | Contenitore/involucro DO-214AA, SMB |
Tensione - Rottura (min) 64,4V | Contenitore del fornitore |
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 93,6V | Codice componente base |
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| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ58AHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-SMBJ58AHE3_B/ITR-ND | € 0,15261 | Consigliato dal produttore |
Obsoleto
