Name: SM8S36AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S36AHE3_A/IGITR-ND
Price: 5.3192 EUR
Availability: InStock

58,1V Fascetta 114A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-218AB

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SM8S36AHE3_A/I
Codice DigiKey	SM8S36AHE3_A/IGITR-ND - Nastrato in bobina (TR) SM8S36AHE3_A/IGICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SM8S36AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore	SM8S36AHE3_A/I
Descrizione	TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218AB
Tempi di consegna standard del produttore	7 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	58,1V Fascetta 114A Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale DO-218AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SM8S36AHE3_A/I Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Protezione dei circuiti Soppressori di tensioni transitorie (TVS) Diodi TVS	Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 114A
Produttore Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Potenza - Impulso di picco 6600W (6,6kW)
Serie PAR®	Protezione linea di alimentazione No
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tipo Zener	Qualifica AEC-Q101
Canali unidirezionali 1	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 36V	Contenitore/involucro DO-218AB
Tensione - Rottura (min) 40V	Contenitore del fornitore DO-218AB
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 58,1V	Codice componente base SM8S36