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ESH2D-E3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Equivalente parametrico

ESH2D-E3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Prezzo unitario : € 0,36000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

ESH2D-M3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Equivalente parametrico

ESH2DHE3/52T
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

ESH2DHE3/5BT
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
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ESH2DHE3_A/H
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DO-214AA, SMB
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ESH2D-M3/5BT

Codice DigiKey
ESH2D-M3/5BT-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Codice produttore
ESH2D-M3/5BT
Descrizione
DIODE STANDARD 200V 2A DO214AA
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Diodi 200 V 2A A montaggio superficiale DO-214AA (SMB)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Standard
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max
200 V
Corrente - Media rettificata (Io)
2A
Tensione - Diretta (Vf) max a If
930 mV @ 2 A
Velocità
Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)
35 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr
2 µA @ 200 V
Capacità a Vr, F
30pF a 4V, 1MHz
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
DO-214AA, SMB
Contenitore del fornitore
DO-214AA (SMB)
Temp. di funzionamento - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Codice componente base
ESH2
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Quantità
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
12 800€ 0,09543€ 1 221,50
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,09543
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,11642