Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 4.1602 EUR
Availability: InStock

Serve aiuto?

Commenti

DigiKey Marketplace Vendi su DigiKey.com Lavora con noi Mappa del sito Soluzioni digitali Redazione

Assistenza Stato ordine Tariffe di spedizione/Opzioni Resi e problemi con l'ordine

Chat (+39) 02 3859 4698 italy.support@digikey.com Co-navigazione

TPWR8004PL,L1Q
Codice DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPWR8004PL,L1Q
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 150 A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) A montaggio superficiale 8-DSOP Advance
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TPWR8004PL,L1Q Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	150 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,8mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	9600 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DSOP Advance
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	TPWR8004

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 3,41000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,16020

TPWR8004PL,L1Q