TK4A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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Canale N 650 V 3,5 A (Ta) 35W (Tc) Foro passante TO-220SIS

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TK4A65DA(STA4,Q,M)
Codice DigiKey	TK4A65DA(STA4QM)-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK4A65DA(STA4,Q,M)
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 3,5 A (Ta) 35W (Tc) Foro passante TO-220SIS
Modelli EDA/CAD	TK4A65DA(STA4,Q,M) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,9ohm a 1,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	600 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220SIS
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	TK4A65

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