Name: TK3R3E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3R3E08QMS1X-ND
Price: 3.6844 EUR
Availability: InStock

Canale N 80 V 120 A (Tc) 230W (Tc) Foro passante TO-220

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TK3R3E08QM,S1X
Codice DigiKey	264-TK3R3E08QMS1X-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK3R3E08QM,S1X
Descrizione	UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 230W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK3R3E08QM,S1X Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,3mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 1,3mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7670 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220
Contenitore/involucro	TO-220-3

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 3,02000	€ 3,02
50	€ 1,52780	€ 76,39
100	€ 1,38260	€ 138,26
500	€ 1,12790	€ 563,95
1 000	€ 1,04609	€ 1 046,09
2 000	€ 1,01917	€ 2 038,34

Contenitore standard del produttore

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