Name: TK3A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK3A65D(STA4QM)-ND
Price: 2.2082 EUR
Availability: InStock

Canale N 650 V 3 A (Ta) 35W (Tc) Foro passante TO-220SIS

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TK3A65D(STA4,Q,M)
Codice DigiKey	TK3A65D(STA4QM)-ND
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK3A65D(STA4,Q,M)
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 3 A (Ta) 35W (Tc) Foro passante TO-220SIS
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,25ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	540 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-220SIS
Contenitore/involucro	TO-220-3 Full Pack
Codice componente base	TK3A65

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 1,81000	€ 1,81
50	€ 0,87340	€ 43,67
100	€ 0,78280	€ 78,28
500	€ 0,62372	€ 311,86
1 000	€ 0,57258	€ 572,58
2 000	€ 0,52958	€ 1 059,16
5 000	€ 0,50203	€ 2 510,15

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