
SSM6P69NU,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6P69NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6P69NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6P69NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6P69NU,LF |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-µDFN (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6P69NU,LF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali P (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,8V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 45mohm a 3,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1,2V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 6,74nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 480pF a 10V | |
Potenza - Max | 1W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-WDFN piazzola esposta | |
Contenitore del fornitore | 6-µDFN (2x2) | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,59000 | € 0,59 |
| 10 | € 0,36400 | € 3,64 |
| 100 | € 0,23400 | € 23,40 |
| 500 | € 0,17762 | € 88,81 |
| 1 000 | € 0,15942 | € 159,42 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,13220 | € 396,60 |
| 6 000 | € 0,12089 | € 725,34 |
| 9 000 | € 0,11513 | € 1 036,17 |
| 15 000 | € 0,10865 | € 1 629,75 |
| 21 000 | € 0,10481 | € 2 201,01 |
| 30 000 | € 0,10148 | € 3 044,40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,59000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,71980 |











