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SSM6P69NU,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6P69NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6P69NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6P69NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6P69NU,LF |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 4 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-µDFN (2x2) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6P69NU,LF Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage | Carica del gate (Qg) max a Vgs 6,74nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 480pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 1W (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C |
Configurazione 2 canali P (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,8V | Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore 6-µDFN (2x2) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 3,5A, 10V |
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,62000 | € 0,62 |
| 10 | € 0,38400 | € 3,84 |
| 100 | € 0,24640 | € 24,64 |
| 500 | € 0,18702 | € 93,51 |
| 1 000 | € 0,16786 | € 167,86 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,14350 | € 430,50 |
| 6 000 | € 0,13122 | € 787,32 |
| 9 000 | € 0,12496 | € 1 124,64 |
| 15 000 | € 0,11793 | € 1 768,95 |
| 21 000 | € 0,11377 | € 2 389,17 |
| 30 000 | € 0,10973 | € 3 291,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,62000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,75640 |
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