Name: SSM6N815R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N815RLFTR-ND
Price: 0.7808 EUR
Availability: InStock

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SSM6N815R,LF
Codice DigiKey	SSM6N815RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N815RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N815R,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 2 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N815R,LF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 103mohm a 2A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA
Serie U-MOSVIII-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,1nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 290pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,8W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 4V	Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore del fornitore 6-TSOP-F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Codice componente base SSM6N815

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In magazzino: 31 946

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,78080

SSM6N815R,LF