
SSM6N815R,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6N815RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N815RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N815R,LF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 100V 2 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6N815R,LF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 4V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 100V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 2 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 103mohm a 2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 100µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 3,1nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 290pF a 15V | |
Potenza - Max | 1,8W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | 6-TSOP-F | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,60000 | € 0,60 |
| 10 | € 0,37300 | € 3,73 |
| 100 | € 0,23970 | € 23,97 |
| 500 | € 0,18206 | € 91,03 |
| 1 000 | € 0,16347 | € 163,47 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,13565 | € 406,95 |
| 6 000 | € 0,12410 | € 744,60 |
| 9 000 | € 0,11821 | € 1 063,89 |
| 15 000 | € 0,11160 | € 1 674,00 |
| 21 000 | € 0,10768 | € 2 261,28 |
| 30 000 | € 0,10472 | € 3 141,60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,60000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,73200 |











