Name: SSM6L820R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6L820R,LFTR-ND
Price: 0.8296 EUR
Availability: InStock

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SSM6L820R,LF
Codice DigiKey	264-SSM6L820R,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6L820R,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6L820R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6L820R,LF
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V, 20V 4 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V, 20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	39,1mohm a 2A, 4,5V, 45mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	1V a 1mA, 1,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	3,2nC a 4,5V, 6,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	310pF a 15V, 480pF a 10V
Potenza - Max	1,4W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	6-TSOP-F
Codice componente base	SSM6L820

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Nastrato in bobina (TR)