Name: RN4986(T5L,F,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN4986(T5LFT)TR-ND
Price: 0.2562 EUR
Availability: InStock

Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW A montaggio superficiale US6

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RN4986(T5L,F,T)
Codice DigiKey	RN4986(T5LFT)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RN4986(T5LFT)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN4986(T5L,F,T)
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW A montaggio superficiale US6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RN4986(T5L,F,T) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	4,7kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	47kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	80 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100µA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz, 200MHz
Potenza - Max	200mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	US6
Codice componente base	RN4986

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