Name: RN4607(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN4607(TE85LF)TR-ND
Price: 0.4026 EUR
Availability: InStock

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RN4607(TE85L,F)
Codice DigiKey	RN4607(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RN4607(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RN4607(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN4607(TE85L,F)
Descrizione	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SM6
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz 300mW A montaggio superficiale SM6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RN4607(TE85L,F) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	10kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	47kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	80 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	200MHz
Potenza - Max	300mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SC-74, SOT-457
Contenitore del fornitore	SM6
Codice componente base	RN4607

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Nastrato in bobina (TR)