RN2404TE85LF è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,02424
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,00000
Scheda tecnica

Equivalente parametrico


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 6 000
Prezzo unitario : € 0,05419
Scheda tecnica

Diretto


onsemi
In magazzino: 7 508
Prezzo unitario : € 0,14000
Scheda tecnica

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Infineon Technologies
In magazzino: 26 491
Prezzo unitario : € 0,21000
Scheda tecnica

Aggiornamento


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 3
Prezzo unitario : € 0,16000
Scheda tecnica

Aggiornamento


Nexperia USA Inc.
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,16000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 8 587
Prezzo unitario : € 0,20000
Scheda tecnica

Simile


Diodes Incorporated
In magazzino: 6 000
Prezzo unitario : € 0,17000
Scheda tecnica

Simile


Panasonic Electronic Components
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,20000

Simile


Panasonic Electronic Components
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,05387

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 5 517
Prezzo unitario : € 0,20000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 46 318
Prezzo unitario : € 0,20000
Scheda tecnica

Simile


Rohm Semiconductor
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,22000
Scheda tecnica
SOT-23-3
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RN2404TE85LF

Codice DigiKey
RN2404TE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RN2404TE85LF
Descrizione
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW A montaggio superficiale S-Mini
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
PNP - pre-polarizzato
Corrente - Collettore (Ic) max
100 mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Resistori inclusi
R1 e R2
Resistore - Base (R1)
47 kOhms
Resistore - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
200 MHz
Potenza - Max
200 mW
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
S-Mini
Codice componente base
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