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ES6
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RN1910FE(T5L,F,T)

Codice DigiKey
RN1910FE(T5LFT)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RN1910FE(T5L,F,T)
Descrizione
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 100mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RN1910FE(T5L,F,T) Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo di transistor
2 NPN - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
4,7kohm
Resistore - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
120 a 1mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore
ES6
Codice componente base
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