Name: RN1901FETE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1901FETE85LFTR-ND
Price: 0.3172 EUR
Availability: OutOfStock

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RN1901FETE85LF
Codice DigiKey	RN1901FETE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RN1901FETE85LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RN1901FETE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN1901FETE85LF
Descrizione	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 100mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	2 NPN - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	4,7kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	4,7kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	30 a 10mA, 5V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	ES6
Codice componente base	RN1901

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,26000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,31720

RN1901FETE85LF