MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Prodotti a semiconduttore discreti

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MT3S111(TE85L,F)
Codice DigiKey	MT3S111(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) MT3S111(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) MT3S111(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	MT3S111(TE85L,F)
Descrizione	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 6V 100mA 11,5GHz 700mW A montaggio superficiale S-Mini
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo di transistor	NPN
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	6V
Frequenza - Transizione	11,5GHz
Cifra di rumore (dB tip. a f)	1,2dB a 1GHz
Guadagno	12dB
Potenza - Max	700mW
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	200 a 30mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore	S-Mini
Codice componente base	MT3S111

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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)