Name: DF2S6P2FU,H3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: DF2S6P2FUH3FTR-ND
Price: 0.4514 EUR
Availability: InStock

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DF2S6P2FU,H3F
Codice DigiKey	DF2S6P2FUH3FTR-ND - Nastrato in bobina (TR) DF2S6P2FUH3FCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DF2S6P2FUH3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	DF2S6P2FU,H3F
Descrizione	TVS DIODE 5.5VWM 23.7VC USC
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	23,7V Fascetta 80 A (8/20µs) Ipp TVS - Diodi A montaggio superficiale USC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DF2S6P2FU,H3F Modelli

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Categoria Protezione dei circuiti Soppressori di tensioni transitorie (TVS) Diodi TVS	Potenza - Impulso di picco 1900W (1,9kW)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Protezione linea di alimentazione No
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Applicazioni Uso generale
Stato componente Attivo	Capacità a frequenza 600pF a 1MHz
Tipo Zener	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Canali unidirezionali 1	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Interdizione inversa (tip.) 5,5V (max)	Contenitore/involucro SC-76, SOD-323
Tensione - Rottura (min) 5,6V	Contenitore del fornitore USC
Tensione - Tenuta (max) a Ipp 23,7V	Codice componente base DF2S6
Corrente - Impulso di picco (10/1000 µs) 80 A (8/20µs)

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Nastrato in bobina (TR)