Name: 2SK2009TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2009TE85LFTR-ND
Price: 0.8662 EUR
Availability: InStock

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2SK2009TE85LF
Codice DigiKey	2SK2009TE85LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SK2009TE85LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2SK2009TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	2SK2009TE85LF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SC-59-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2.5V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 50mA, 2,5V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 100µA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	70 pF @ 3 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-59-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	2SK2009