Name: CSD85312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37187-2-ND
Price: 1.9154 EUR
Availability: InStock

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CSD85312Q3E
Codice DigiKey	296-37187-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-37187-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-37187-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD85312Q3E
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 39A 2,5W A montaggio superficiale 8-VSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD85312Q3E Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Sorgente comune (doppia)a 2 canali N
Funzione FET	Gate livello logico, comando 5V
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	39A
RDSon (max) a Id, Vgs	12,4mohm a 10A, 8V
Vgs(th) max a Id	1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15,2nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2390pF a 10V
Potenza - Max	2,5W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore	8-VSON (3,3x3,3)
Codice componente base	CSD85312