MOSFET - Array 20V 39A 2,5W A montaggio superficiale 8-VSON (3,3x3,3)
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CSD85312Q3E

Codice DigiKey
296-37187-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-37187-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-37187-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
CSD85312Q3E
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 39A 2,5W A montaggio superficiale 8-VSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD85312Q3E Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
Sorgente comune (doppia)a 2 canali N
Funzione FET
Gate livello logico, comando 5V
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
39A
RDSon (max) a Id, Vgs
12,4mohm a 10A, 8V
Vgs(th) max a Id
1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15,2nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2390pF a 10V
Potenza - Max
2,5W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore
8-VSON (3,3x3,3)
Codice componente base
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In magazzino: 7 589
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,38000€ 1,38
10€ 0,87100€ 8,71
100€ 0,58120€ 58,12
500€ 0,45706€ 228,53
1 000€ 0,41713€ 417,13
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,37390€ 934,75
5 000€ 0,34719€ 1 735,95
7 500€ 0,33359€ 2 501,93
12 500€ 0,33187€ 4 148,38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,68360

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