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STB30N65M2AG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-STB30N65M2AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB30N65M2AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB30N65M2AGDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB30N65M2AG |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB30N65M2AG Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 180mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 30.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1440 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 976
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Data ultima possibilità d'acquisto: 04.03.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 4,45000 | € 4,45 |
| 10 | € 2,95600 | € 29,56 |
| 100 | € 2,11000 | € 211,00 |
| 500 | € 2,01312 | € 1 006,56 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,64470 | € 1 644,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 4,45000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 5,42900 |
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