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Canale N 30 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 30 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263 D2PAK

STB155N3LH6

Codice DigiKey
497-11323-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-11323-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-11323-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB155N3LH6
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB155N3LH6 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB155
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Quantità
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,50000€ 2,50
10€ 1,61800€ 16,18
100€ 1,11590€ 111,59
500€ 0,92364€ 461,82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,05000