Name: SCTW60N120G2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW60N120G2-ND
Price: 19.52 EUR
Availability: InStock

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SCTW60N120G2
Codice DigiKey	497-SCTW60N120G2-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCTW60N120G2
Descrizione	DISCRETE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 60 A (Tc) 389W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCTW60N120G2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 30A, 18V
Vgs(th) max a Id	5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	94 nC @ 8 V
Vgs (max)	+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1969 pF @ 800 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	389W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	HiP247™
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	SCTW60

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