Name: S3M0016120K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120K-ND
Price: 21.7892 USD
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

S3M0016120K
Codice DigiKey	1655-S3M0016120K-ND
Produttore	SMC Diode Solutions
Codice produttore	S3M0016120K
Descrizione	MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 120 A (Tc) 732W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SMC Diode Solutions
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	23mohm a 75A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 30mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	5251 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	732W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

In magazzino: 300

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in USD

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	$ 17,86000	$ 17,86
30	$ 11,11267	$ 333,38
120	$ 9,77533	$ 1 173,04

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.